低压MOS管如何设计才能起到保护作用
低压MOS管作为一种新型的功率器件，具有开关速度快，内阻低损耗小等优点，但是如果使用不当也容易损 坏。低压MOS管损坏的原因主要有过压，过流，短路，静电，过热，机械损坏等。 一．过压 低压MOS管的过压主要分为栅源及过压和漏源及过压。 1. 栅源及及过压 低压MOS管 的栅源及之间允许的电压（VGSS）都有一个限制，业界的一般是±12V(低压 MOS)~±20V(中 压大电流 MOS/高压 MOS……
联冀讲述第三代半导体发展史
第三代宽禁带半导体宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV，这类材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。发展较好的宽禁带半导体主要是SiC和GaN，其中SiC的发展更早一些，碳化硅SiC、氮化镓GaN……
强茂二极管肖特基二极管的特性
强茂二极管肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。你知道肖特基二极管作用是什么吗？下面就是联冀小编对肖特基二极管进行简单的介绍。肖特基二极管-原理 肖特基二极管是由贵金属金、铝、银、铂等A为正极，以N型半导体B为负极，然后利用二者接触面之……
这个低压MOS管在榨汁杯中可替代NCE低压MOS
现在榨汁杯几乎是广大学生党、办公室一族的养生必备宝物。虽然消费群体不断的扩大，但是竞争对手也不断的增大，如何抢占市场也成了不少出厂家迫切关注的问题。毕竟提升质量就意味着成本的上升，NCE低压MOS管90N03场效应管就是生产榨汁杯常用的场效应管型号之一，如果能有更物美价廉的场效应管来替换NCE低压MOS管90N03，相信对于厂家来说也是个不错的选择！ 这部分消费者在榨汁杯和榨汁机之间更偏……
你是怎样选择低压MOS管的
正确选择低压MOS管是很重要的一个环节，低压MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的低压MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下低压MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道低压MOS管。在典型的功率应用中，当一个低压MOS管接地，而负载连接到干线电压……
什么因素会影响NCE低压MOS管的效率
1.是用N沟道还是P沟道 。选择好NCE低压MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个NCE低压MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该NCE低压MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道NCE低压MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当NCE低压MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟……
紫光微MOS管这三个极的含义
紫光微MOS管的这三个极分别是：G,S,D,下面分别讲讲这三个极各自的含义。1.判断栅极GMOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如紫光微MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，紫光微MOS管发烧严峻，易热损坏紫光微MOS管GS间存在一定电容，假如G信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间.将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极……
功率深爱MOS管价格持续上涨的原因
自2018年开始，功率深爱MOS管的平均售价持续上升，其中以工作电压范围超过400伏特高电压功率深爱MOS管产品成长幅度最显著，已位居价格中的首位。至于其他中低电压的功率深爱MOS管产品成长幅度较小，但仍缓步上升。因平均售价成长趋势的差异化表现，12寸晶圆功率半导体厂的建立及高电压功率深爱MOS管产品布局，或将成为未来厂商发展重点。中低电压功率深爱MOS管价格小幅成长，将由12寸晶圆制程提高利润。……
强茂肖特基二极管的作用
接下来深圳市联冀电子有限公司小编来给你们详细介绍一下.... 强茂肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管……
什么是紫光微MOS管
紫光微MOS管的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率MOSFET的结构： 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图所示，它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PN……
联冀强茂二极管工作原理
强茂二极管包括:肖特基二极管,碳化硅肖特基二极管,二极管整流器,保护组件,双极晶体管,桥式整流管,下面主要讲一下肖特基二极管的工作原理。 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中……
强茂肖特基二极管原理
强茂二极管包括肖特基二极管它是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形……
