你对MOS管的电阻很大性能多了解多少呢
MOS管的工作原理:MOS管工作原理用一句话解释，就是"漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID".更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流……
教你计算输入电容及DCM、CCM、QR变压器
技术要求：输入电压Vin：90-253Vac输出电压Vo：27.6V输出电流Io：6A输出功率Po：166W效率η：0.85输入功率Pin：195W输入滤波电容计算过程：上图为整流后滤波电容上电压波形，在zui低输入电压下，如果我们想在滤波电容上得到的电压Vdc为115V，则从上图可以得到:Vpk=90*1.414=127VVmin=Vdc-(Vpk-Vdc)=103V将电源模块等效为一个电阻负载……
联冀解析同步整流的工作原理及应用技术
同步整流工作原理:整流管VT3和续流管VT2的驱动电压从变压器的副边绕组取出，加在MOS管的栅G和漏D之间，如果在独立的电路中MOS管这样应用不能完泉开通，损耗很大，但用在同步整流时是可行的简化方案。由于这两个管子开关状态互琐，一个管子开，另一个管子关，所以我们只简要分析电感电流连续时的开通情况，我们知道MOS管具有体内寄生的反并联二极管，这样电感电流连续应用时，MOS管在真正开通之前并联的二极管……
防止MOS管烧毁，先要知道为什么它会烧
MOS损坏主要原因：过流——持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁。过压——源漏过压击穿、源栅极过压击穿。静电——静电击穿，CMOS电路都怕静电。防止MOS烧毁MOS问题远没这么简单，麻烦在它的栅极和源级间，源级和漏级间，栅极和漏级间内部都有等效电容。所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程（电容电压不能突变），而MOS源级和漏级间由截止到导通的开通过程受栅极电容的充电过程制约。然而，这三个……
防止MOS管烧毁
MOS在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。MOS主要损耗也对应这几个状态：开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在MOS承受规格之内，MOS即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同MOS这个差距可能很大……
如何辨别低压MOS管的三个极呢？
外形上来看，DNF封装的场效应管仍旧有8个脚，但已经变成贴片形式，节约了高度，散热性能更好些。但其PIN脚极性还是一样排列。接下来，看看6个脚的TSOP-6封装场效应管： PIN1,2,5,6为D极； PIN3为G极； PIN4为S极。 同样是6个脚，SOT-363封装场效应管则为双场效应管： zui后，3PIN脚的场效应管： （1）SOT-23 PIN1为G极；PIN2为S极；PIN3为D极。 ……
联冀讲述电子元器件的发展情况
电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。 电子元器件包括：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类……
MOS管能影响电动汽车的充电器能不能恒压和恒流
为了可持续发展，人 类在技术革新上不断地探索代替石油的能源，在交通工具上，目前电能则有代替汽 油的趋势，很多电动汽车已经投入使用，但是约束电动汽车的主要因素之一就是充电速度，而充电器作为电流转换设备，它的性能和质量将影响到充电的速度，所以在设计充电器电路的时候需要采用优质的MOS管，控制好栅极电压。电动汽车的充电器不能恒压和恒流，原因可能跟MOS管有关MOS管在电动汽车充电器里面充当可变电阻的作用……
低压MOS管如何设计才能起到保护作用
低压MOS管作为一种新型的功率器件，具有开关速度快，内阻低损耗小等优点，但是如果使用不当也容易损 坏。低压MOS管损坏的原因主要有过压，过流，短路，静电，过热，机械损坏等。 一．过压 低压MOS管的过压主要分为栅源及过压和漏源及过压。 1. 栅源及及过压 低压MOS管 的栅源及之间允许的电压（VGSS）都有一个限制，业界的一般是±12V(低压 MOS)~±20V(中 压大电流 MOS/高压 MOS……
联冀讲述第三代半导体发展史
第三代宽禁带半导体宽禁带半导体(WBS)是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV，这类材料主要包括SiC(碳化硅)、C-BN(立方氮化硼)、GaN(氮化镓、)AlN(氮化铝)、ZnSe(硒化锌)以及金刚石等。发展较好的宽禁带半导体主要是SiC和GaN，其中SiC的发展更早一些，碳化硅SiC、氮化镓GaN……
强茂二极管肖特基二极管的特性
强茂二极管肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。你知道肖特基二极管作用是什么吗？下面就是联冀小编对肖特基二极管进行简单的介绍。肖特基二极管-原理 肖特基二极管是由贵金属金、铝、银、铂等A为正极，以N型半导体B为负极，然后利用二者接触面之……
这个低压MOS管在榨汁杯中可替代NCE低压MOS
现在榨汁杯几乎是广大学生党、办公室一族的养生必备宝物。虽然消费群体不断的扩大，但是竞争对手也不断的增大，如何抢占市场也成了不少出厂家迫切关注的问题。毕竟提升质量就意味着成本的上升，NCE低压MOS管90N03场效应管就是生产榨汁杯常用的场效应管型号之一，如果能有更物美价廉的场效应管来替换NCE低压MOS管90N03，相信对于厂家来说也是个不错的选择！ 这部分消费者在榨汁杯和榨汁机之间更偏……
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