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自2018年开始,功率深爱MOS管的平均售价持续上升,其中以工作电压范围超过400伏特高电压功率深爱MOS管产品成长幅度最显著,已位居价格中的首位。
至于其他中低电压的功率深爱MOS管产品成长幅度较小,但仍缓步上升。
因平均售价成长趋势的差异化表现,12寸晶圆功率半导体厂的建立及高电压功率深爱MOS管产品布局,或将成为未来厂商发展重点。
中低电压功率深爱MOS管价格小幅成长,将由12寸晶圆制程提高利润。
过去功率深爱MOS管以8寸晶圆制造为主,在制程成熟度与稳定性上达到平衡,并已完成优化。MOSFET是目前最常用的功率半导体器件之一,泛用于多种电子产品与系统之中。
在消费类电子产品需求不断增加下,8寸晶圆需要制造的产品也增加,包括相关芯片等,让8寸晶圆产能呈现吃紧状态,引发8寸晶圆厂产能不足的问题。
因此对功率深爱MOS管的客户来说,转进12寸晶圆厂是绝佳选择。
目前具12寸晶圆厂制造功率深爱MOS管量产能力的厂商是英飞凌,已有1座12寸功率半导体厂房生产,且计划兴建第二座,预计2021年开始量产。
从英飞凌官方资料来看,12寸厂具有6%成本效益,能带来约2%增幅,因此未来将持续扩大12寸晶圆制造。
另外,AOS为市场上第二家将以12寸晶圆厂制造功率深爱MOS管的厂商,预计于2019下半年量产供货。
AOS认为,12寸晶圆制造最直接优势在产能,且在降低制造成本及提升良率方面也较8寸厂优秀。ON Semiconductor也购入12寸晶圆厂,准备生产功率半导体相关元件。
低压功率深爱MOS管的平均售价趋势可发现,其价格相对平缓,近期价格虽有上涨但幅度很小。
因此降低生产成本为提升毛利润必要条件,也令12寸晶圆制造功率深爱MOS管备受重视,未来中低电压功率深爱MOS管在无法通过抬高价格来创造高利润的情况下,凭借12寸厂成本优势仍有机会贡献利润率,并解决产能不足问题。
高电压功率深爱MOS管表现亮眼。
功率半导体在终端的产品使用中越来越广泛,尤其近年在车用、5G与高端运算等,也吸引主要大厂积极投入开发高电压功率深爱MOS管产品,拉动平均售价大幅度成长。
为达到高电压功率深爱MOS管市场与技术需求,在主要供应链厂商中,英飞凌、安森美、STM、ROHM、AOS等积极开发研究含有SiC的功率深爱MOS管元件,除欧美日大厂外,陆系厂商比亚迪、台系厂商强茂也积极开发SiC 功率深爱MOS管产品。
SiC功率半导体具耐高温、耐高电压、切换速度快。随着电动汽车以及其他系统的增长,SiC功率半导体市场正在经历需求的突然激增。
但需求也导致市场上基于SiC的器件供应紧张,促使一些供应商在棘手的晶圆尺寸过渡期间增加晶圆厂产能。值得一提的是,由于SiC与GaN晶圆的制造成本较高,也是拉抬高电压功率深爱MOS管价格的主要推手之一。
总体而言,欧美日大厂看好高规格功率深爱MOS管的未来发展。同时,全球电动车市场加速成长,对MOSFET需求急迫,在汽车应用领域的销量超越了计算和数据存储领域,占总体市场的20%以上。随着MOSFET不断发展,相关厂商盈利也将会有望进一步提升。