深爱MOS管正确选择的步骤
正确选择深爱MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构……
低压MOS管的工作原理
低压MOS管是金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面……
普通电阻与精细电阻的区别在哪里呢
在一定的温度范围内,精细电阻的误差要比普通电阻的误差小很多.也就是说制造精细电阻的资料温度稳定性要高于普通电阻的资料.那么普通电阻能替代精细电阻吗?下面我们给大家分享一下吧.电阻在电路中的应用普通是限流和分压,限流局部不用思索精细电阻,分压局部可分二种:1、电压的精度对后继电路影响不太大,此处分压电阻用普通的.2、电压的精度对后继电路影响极大,此处分压电阻用高精度的.当然,不扫除个别设计人员不思索……
功率密度基础技术简介
功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。为了更好地理解高功率密度设计的基本技术，在本文中，我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面：降 低损耗zui优拓扑和控制选择有效的散热通过机电元件集成来小系统体积我还将演示如何与T合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值首先，让我们来定义功率密度，井着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节什么是功率度?……
功率密度基础技术简介
功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。为了更好地理解高功率密度设计的基本技术，在本文中，我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面：将低损耗zui优拓扑和控制选择有效的散热通过机电元件集成来小系统体积首先，让我们来定义功率密度，井着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节什么是功率度?对于电源管理应用程序而，功率度的定义似乎非 常简单:它指的是转换器的额定(或标称)输出功率除以……
PD18W EMC整改历程
根据开关电源产生共模、差模干扰的特点，将整个频率范围划分为3个部分：即0.15-0.5MHz 差模干扰为主；0.5-5MHz 差、共模干扰共存；5-30MHz 共模干扰为主。重典注意的是，滤波器件应该远离变压器、散热器，否则很容易跳过滤波电路，直接耦合到L,N线导致EMI超标。一． 1MHZ 以内，以差模干扰为主。（整改建议）1. 增大 X 电容量；2. 添加差模电感；3. 小功率电源可采用 PI……
新洁能半导体产品的应用范围
无锡新洁能专注从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括：12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，相关核心技术已获得多项专利授全，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。公司产品凭借低损耗、高可靠性品质，已成功进入汽车电子、电机……
深爱MOS管的这些优势你不清楚
高频开关电源可以节省传统整流器的调压器和主变的损耗，节 能在35%以 上，大大的减轻了电镀成本，实为表面处理行业很理智的选择，其可以带负载开关机，减少调节的繁琐程序，具有体积小、重量轻的特点。深爱MOS管场效应管常应用于高频开关电源的生产中。但是随着行业竞争逐渐增强，高频开关电源的厂家纷纷寻找零部件的代替品，从而降低生产成本，提 高竞争力。而被厂家公 认 可以完 美替代SPP20N60C3场效应管……
深爱MOS管开关小电流发热分析
小电流深爱MOS管发热分析mos管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。深爱MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型深爱MOS管，其工作原理本质是一样的MOS管是由加在输入端栅及的电压来控制输出端漏及的电流深爱MOS管是压控器件它通过加在柵及上的电压控制器件的特性，不会发生像三及管做开关时的因基及电流引起的电荷存储效应，因此……
万用表使用NCE低压MOS的效果
如何快速判断NCE低压MOS管引脚功能的好坏1）用10K档，内有15伏电池。可提供导通电压。2）因为栅极等效于电容，与任何脚不通，不论N管或P管都很容易找出栅极来，否则是坏管。3）利用表笔对栅源间正向或反向充电，可使漏源通或断，且由于栅极上电荷能保持，上述两步可分先后，不必同步，方便。但要放电时需短路管脚或反充。4）大都源漏间有反并二极管，应注意，及帮助判断。5）大都封庄为字面对自已时，左栅中漏右……
强茂二极管的特性与应用
众所周知几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生zui早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。强茂二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界……
NCE低压MOS管电路原理解析
1，NCE低压MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和……
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