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深爱MOS管开关小电流发热分析

发布时间:2020-04-22来源: 联冀电子阅读:113

小电流深爱MOS管发热分析mos管,做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。深爱MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型深爱MOS管,其工作原理本质是一样的MOS管是由加在输入端栅及的电压来控制输出端漏及的电流

深爱MOS管是压控器件它通过加在柵及上的电压控制器件的特性,不会发生像三及管做开关时的因基及电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,深爱MOS管的开关速度应该比三及管快。

在开关电源中常用深爱MOS管的漏及开路电路,如图2漏及原封不动地接负载,叫开路漏及,开路漏及电路中不管负载接多高的电压,都 能够鸲接通和关断负載电流。是理想的模拟开关器件。这就是深爱MOS管做开关器件的原理。

当然深爱MOS管做开关使用的电路形式比较多了。

在开关电源应用方面,这种应用需要深爱MOS管定期导通和关断。

比如,DC-DC电源中常用的基本降压转換器依赖两个深爱MOS管来执行开关功能,这些开关交替在电感里存储能量,然后把能量释放给负载。

我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率,因为频率越高,磁性元件可以更小更轻。

在正常工作期间,深爱MOS管只相当于个导体。

因此,我们电路或者电源设计人员很关心的是MOS的很小传导损耗。

我们经常看深爱MOS管的PDF参数,深爱MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗,对开关应用来说,RDS(ON)也是很重要的器件特性。

数据手册定义RDS(ON)与棚及(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但对于充分的棚及驱动,RDS(ON)是

一个相对静态参数。

一直处于导通的深爱MOS管很容易发热。

另外,慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。深爱MOS管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为深爱MOS管封装的半导体结散热能力。

R& theta;JC的很简 单的定义是结到管壳的热阻抗。深爱MOS管小电流发热的原因1、电路设计的可题,就是让MO

S管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。

这也是导致深爱MOS管发热的一个原因。

如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,オ能完全导通,P-MOS则相反。

没有完全打开而压降过大造成 功 率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U치也增大,损耗就意味着发热。

这是设计电路的很忌讳的错误。

1、频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提 高深爱MOS管上的损耗增大了,所以发热也加 大了。

2、没有做好足 够的散热设计,电流太高,深爱MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达 到。

所以ID小于很大电流,也可能发热严重,需要足 够的辅助散热片

3、深爱MOS管的选型有误,对功率判断有误,深爱MOS管內阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。

深爱MOS管小电流发热严重怎么解决1、做好深爱MOS管的散热设计,添加足 够多的辅助散热片。