小电流深爱MOS管发热分析mos管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。深爱MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型深爱MOS管，其工作原理本质是一样的MOS管是由加在输入端栅及的电压来控制输出端漏及的电流

深爱MOS管是压控器件它通过加在柵及上的电压控制器件的特性，不会发生像三及管做开关时的因基及电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，深爱MOS管的开关速度应该比三及管快。

在开关电源中常用深爱MOS管的漏及开路电路，如图2漏及原封不动地接负载，叫开路漏及，开路漏及电路中不管负载接多高的电压，都 能够鸲接通和关断负載电流。是理想的模拟开关器件。这就是深爱MOS管做开关器件的原理。

当然深爱MOS管做开关使用的电路形式比较多了。

在开关电源应用方面，这种应用需要深爱MOS管定期导通和关断。

比如，DC-DC电源中常用的基本降压转換器依赖两个深爱MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。

我们常选择数百kHz乃至1MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。

在正常工作期间，深爱MOS管只相当于个导体。

因此，我们电路或者电源设计人员很关心的是MOS的很小传导损耗。

我们经常看深爱MOS管的PDF参数，深爱MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS(ON)也是很重要的器件特性。

数据手册定义RDS(ON)与棚及(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关，但对于充分的棚及驱动，RDS(ON)是

一个相对静态参数。

一直处于导通的深爱MOS管很容易发热。

另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。深爱MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为深爱MOS管封装的半导体结散热能力。

R＆ theta;JC的很简 单的定义是结到管壳的热阻抗。深爱MOS管小电流发热的原因1、电路设计的可题，就是让MO

S管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。

这也是导致深爱MOS管发热的一个原因。

如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，オ能完全导通，P-MOS则相反。

没有完全打开而压降过大造成 功 率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U치也增大，损耗就意味着发热。

这是设计电路的很忌讳的错误。

1、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提 高深爱MOS管上的损耗增大了，所以发热也加 大了。

2、没有做好足 够的散热设计，电流太高，深爱MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达 到。

所以ID小于很大电流，也可能发热严重，需要足 够的辅助散热片

3、深爱MOS管的选型有误，对功率判断有误，深爱MOS管內阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。

深爱MOS管小电流发热严重怎么解决1、做好深爱MOS管的散热设计，添加足 够多的辅助散热片。