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公司新闻

2020-01-17
    万用表使用NCE低压MOS的效果 如何快速判断NCE低压MOS管引脚功能的好坏1)用10K档,内有15伏电池。可提供导通电压。2)因为栅极等效于电容,与任何脚不通,不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则是坏管。3)利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便。但要放电时需短路管脚或反充。4)大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断。5)大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右……
2020-01-15
    强茂二极管的特性与应用 众所周知几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生zui早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。强茂二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界……
2020-01-15
    NCE低压MOS管电路原理解析 1,NCE低压MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和……
2020-01-13
    联冀告诉你强茂二极管稳压二极管的稳压值 接下来深圳市联冀电子有限公司小编来给你们详细介绍一下... 1,将一电阻(待定)与稳压管串联,接到直流电源(电压待定)上,用电压表测稳压管的两端电压,所测的值为稳压值。(稳压管阴极那端接电源正极) 2,推测稳压管的大概稳压值(从器件的拆卸源上可以推知),若稳压值在10V以下,则需要直流电源大于10V,可以取15V,串联的电阻大小R=(15V - 推测稳压值)/(稳压管功率(一般为0.5W)/推测稳……
2020-01-09
    强茂二极管稳压的注意点 强茂二极管稳压的注意点:1、要注意一般二极管与稳压二极管的区别方法。不少的一般二极管,特别是玻璃封装的管,外形颜色等与稳压二极管较相似,如不细心区别,就会使用错误。区别方法是:看外形,不少稳压二极管为园柱形,较短粗,而一般二极管若为园柱形的则较细长;看标志,稳 压二极管的外表面上都标有稳压值,如5V6,表示稳压值为5.6V;用万用表进行测量,根据单向导电性,用X1K挡先把被测二极管的正负极性判断出……
2020-01-09
    NCE低压MOS管的电流控制 NCE低压MOS管即可用于放大电流,又可以作为可变电阻,还能用作电子开关,现已广泛应用于电子设备中。而在使用过程中,MOS管是通过加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。今天飞虹MOS管厂家要分享的是NCE低压MOS管该如何精准控制电流。NCE低压MOS管是电压控制器件,也就是需要使用电压控制G脚来实现对管子电流的控制。市面上最常见的是增强型N沟通MOS管,厂家可以用一个电压来控制G的电压,N……
2020-01-07
    低压MOS管的特性及应用领域 低压MOS管是电场效应控制电流大小的单及型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流及小,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点,在大规模和潮大规模集成电路中被应用。场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、康副射能力强等有势,在集成电路中已经有逐渐取代三及管的趋势。但它还是fei常娇贵的,虽然多数已经内置了保护二及管,但稍不注意,也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。低压MOS管与三及管的各……
2020-01-03
    紫光微MOS管的选型原则 了解了紫光微MOS管的参数意义,如何根据厂商的产品手册表选择满足自己需要的产品呢?可以通过以下四步来选择正确的紫光微MOS管。1) 沟道的选择  为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道 紫光微MOS管.在典型的功率应用中,当一个紫光微MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该紫光微MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟 道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压……
2020-01-03
    紫光微MOS管功率的基本特性 静态特性:其转移特性和输出特性。漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为紫光微MOS管的转移特性,ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs。紫光微MOS管的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。电力 紫光微MOS管工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力紫光微MOS管漏源极……
2020-01-02
    紫光微MOS管的常用参数 紫光微MOS管的常用参数:VDS,即漏源电压,这是紫光微MOS管的一个极限参数,表示紫光微MOS管漏极与源极之间能够承受的最大电压值。需要注意的是,这个参数是跟结温相关的,通常结温越高,该值最大。 RDS(on),漏源导通电阻,它表示MOSFET在某一条件下导通时,漏源极之间的导通电阻。这个参数与紫光微MOS管结温,驱动电压Vgs相关。在一定范围内,结温越高,Rds越大;驱动电压越高,Rds越小。……
2020-01-02
    7n65MOS管的产品特点及参数 MOS管7n65产品特征-KIA7N65H:1、RDS(on)=1.2?@VGS=10V2、低栅电荷(典型的29nC)3、高强度4、快速切换5、100%雪崩试验6、增强的dv/dt能力MOS管7n65产品主要参数-KIA7N65H:产品型号:KIA7N65H工作方式:7A/650V漏至源电压:650V门到源电压:±30V雪崩能源:14.7/230MJ操作和储存温度范围:-55至150℃ 深圳市……
2019-12-30
    强茂二极管的恢复时间 强茂二极管分为:肖特基二极管,碳化硅肖特基二极管,二极管整流器,保护组件,双极晶体管,桥式整流管,下面主要讲一下肖特基二极管的恢复时间。肖特基二极管和快恢复二极管区别前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿~! 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到……