肖特基二极管的内部电路结构包含一个金属-半导体结，这与传统p-n结二极管中使用的金属-绝缘体-半导体结截然不同。强茂肖特基二极管以其低正向压降、快速开关速度和高效率而著称，以下是其内部结构的基本分解。

1、金属-半导体结

金属侧：在肖特基二极管中，阳极由金属制成，通常是铂 (Pt)、金 (Au) 或钨 (W)。

半导体侧：阴极由n型半导体制成（通常是硅 (Si)，尽管有时也使用其他半导体，例如砷化镓 (GaAs)）。

金属和n型半导体之间形成的结称为肖特基势垒，其特性与p-n结截然不同。

2、结特性

肖特基势垒高度（即金属和半导体之间的势能差）在决定正向压降方面起着重要的作用。对于肖特基二极管，该势垒通常较低，因此这些二极管的正向压降也较低（约为0.2V至0.4V，而硅p-n二极管的正向压降为0.7V至1.0V）。

反向漏电流通常高于p-n结二极管，但由于不存在电荷存储，其正向电流要低得多，这使得强茂肖特基二极管的响应速度更快。

3、器件结构

阴极（n型半导体区）：当二极管正向偏置时，电荷载流子（电子）在该区域流动。n型半导体通常具有一定的掺杂浓度，以确保电子流动的低电阻。

阳极（金属触点）：金属触点用于将电荷载流子注入半导体。该界面构成了基本的肖特基势垒。

保护环（可选）：在高功率肖特基二极管中，金属-半导体结周围设有保护环，以防止在高反向偏置条件下发生击穿。

4、工作原理

正向偏置：当金属的电位高于半导体时，肖特基势垒降低，电流开始流动，但与传统的p-n二极管相比，其压降要低得多。

反向偏置：当金属的电位低于半导体时，势垒高度增加，阻止电流流动。然而，由于结的特性，肖特基二极管的反向漏电流比p-n二极管要高。

5、电容

与p-n结二极管相比，肖特基二极管的结电容往往更低，这也是它们具有快速开关速度的原因之一。这一特性在高频应用中尤为有用，例如射频电路。

强茂肖特基二极管的内部结构相对简单，由金属-n 型半导体结组成，这使得它具有低正向压降和快速开关的特性，但与传统的 p-n 结二极管相比，其反向漏电流较高，反向电压容差较低。