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紫光微MOS管功率的基本特性

发布时间:2020-01-03来源: 联冀电子阅读:686

静态特性:其转移特性和输出特性。

漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为紫光微MOS管的转移特性,ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs。

紫光微MOS管的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。电力 紫光微MOS管工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力紫光微MOS管漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通。电力 紫光微MOS管的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。

动态特性:

其测试电路和开关过程波形。

td(on)导通延时时间——导通延时时间是从当栅源电压上升到10%栅驱动电压时到漏电流升到规定电流的10%时所经历的时间。

tr上升时间——上升时间是漏极电流从10%上升到90%所经历的时间。  

iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关,UGS达到UGSP后,在up作用下继续升高直至达到稳态,但iD已不变。  

开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和。

td(off)关断延时时间——关断延时时间是从当栅源电压下降到90%栅驱动电压时到漏电流降至规定电流的90%时所经历的时间。这显示电流传输到负载之前所经历的延迟。

tf下降时间——下降时间是漏极电流从90%下降到10%所经历的时间。

关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和。

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